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半絕緣電阻率通常介于1-1000歐姆·厘米之間，是描述半絕緣材料導電性能的關鍵參數。這種材料在電子工業中應用廣泛，特別是在制造半導體器件、絕緣層和光電材料等方面。非接觸半絕緣電阻率可測試該產...

玻璃領域 半導體玻璃的電阻率及某些物理化學性質在光、電、熱等作用下可發生顯著改變，從而賦予其的性能。半導體玻璃已廣泛應用于光電倍增器、存儲器件、電子開關等領域。

晶錠與晶片在半導體行業中扮演著不同的角色，它們之間的區別主要體現在形態、制備方式及應用領域上。首先，晶錠，或稱為單晶硅棒，是一種長條狀的半導體材料，通常采用特定方法制備，直徑多為200mm或300mm...

隨著光伏產業的迅猛發展，生產效率和產品質量的提升已成為行業關注的焦點。在光伏電池片的生產中，方阻檢測是確保電池片質量和性能的關鍵環節之一。傳統的方阻檢測方法大多依賴接觸式測試，這不僅容易損傷材料，還難...

主要利用結光電壓技術非接觸測試具有P/N或N/P結構的樣品的方阻(發射極薄層方阻），本儀器為非接觸，非損傷測試，具有測試速度快，重復性佳，測試敏感性高，可以直接測試產品片等優點。

在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公司特點非接觸霍爾遷移率（Hall mob...

在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

即少數載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導體中產生直到消失的時間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數載流子（因為只有少數載流子才能注入到半導體內部、并積...

外延電阻率方阻測試儀：外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點埋層）；然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層；再后來在外延層上注入基區、發射區等等...

襯底電阻率方阻測試儀：襯底，或稱基片（substrate），是指在半導體器件制造過程中用來支持其他材料或結構的底層材料。襯底的物理性質包括其晶體結構、機械強度、熱導率、膨脹系數等，而化學性質則涵蓋其純...

玻璃方阻測試儀應用ITO導電玻璃的時候，往往會提到一個重要的參數，這個參數就是：方阻，也稱方塊電阻。同時，我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。

金屬薄膜方阻測試儀：金屬薄膜方阻，方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單...