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渦流法電阻率測試儀

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渦流法方阻測試儀

??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導電材料（如?蒸發鋁膜、?導電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個參數，其大小與材料的電阻率和厚度有關。
方阻的特性是，無論正方形的邊長如何，其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著，不管正方形的邊長是1米還是1毫米，其方阻值都是一樣的。方阻僅與導電膜的厚度和電阻率有關，與樣品的尺寸無關。

產品型號：
廠商性質：生產廠家
更新時間：2025-06-26
訪問量：894

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產品詳情

??方阻是指一個正方形?薄膜導電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導電材料（如?蒸發鋁膜、?導電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個參數，其大小與材料的電阻率和厚度有關。?

特性：

方阻的特性是，無論正方形的邊長如何，其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著，不管正方形的邊長是1米還是1毫米，其方阻值都是一樣的。方阻僅與導電膜的厚度和電阻率有關，與樣品的尺寸無關。

描述：

渦流法方阻測試儀主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導體材料，石墨烯，透明導電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）。可實現單點測試，亦可以實現面掃描的測試功能，可用于材料研發及工藝的監測及質量控制。

特點：

本儀器為非接觸，非損傷測試，具有測試速度快，重復性佳，測試敏感性高，可以直接測試產品片。

渦流法方阻測試儀技術參數：

參數	探頭	方阻范圍	電阻率范圍	測試方法
量程	低阻探頭	0.005-1Ω/sq	0.25-50mΩ·cm	渦流法，非接觸式
	中阻探頭	0.05-10Ω/sq	2.5-500mΩ·cm
	高阻探頭	10-3000Ω/sq	0.5-150Ω·cm
	錠探頭	0.01-2Ω·cm
重復性	＜0.2%(≤50%量程范圍）		＜0.5%(>50%量程范圍）
準確度	＜±3%(≤50%量程范圍）		＜±3%(>50%量程范圍）
探頭信息	探頭類型：雙探頭（上下探頭，間距2-3mm）探頭直徑：外徑20mm，內徑14mm（有效測試部分）
坐標設置	任意坐標設置
存儲數據	數據庫內部存儲（可導出表格文件） PDF測試報告，含測試信息（時間、操作員）、wafer信息（編號、尺寸、厚度），數據信息（測試點數，**值，最小值，平均值，相對標準偏差等），等高線圖，曲面圖等。 CSV表格數據可存儲至遠端服務器，可根據客戶需求修改相關報告信息
WAFER信息	尺寸：2"-8"（英寸）厚度：100-1500μm
系統要求	供電：AC220V,50/60Hz；功率：600W；環境：溫度24℃±10℃ 相對濕度：20%-80%RH；尺寸：975465425(mm)；壽命：>10年

渦流法原理：

當載有交變電流的檢測線圈靠近被測導體，由于線圈上交變磁場的作用，被測導體感應出渦流并產生與原磁場方向相反的磁場，部分抵消原磁場，導致檢測線圈電阻和電感變化。

渦流法方阻測試儀

電阻率=方阻×Wafer厚度

方阻和V具有關系

電阻率是用來表示物質電阻特性的物理量，是材料本身的電學性質。

適用材料：

材料	電阻率	方阻
Silicon wafer	Y	Y
SiC wafer / Ingot	Y	Y
GaO wafer / Ingot	Y	Y
GaN wafer 2DEGI	Y	Y
GaAs 2EDG		Y
IGZO/LTPS/ITO		Y
TCO(Touch panel)		Y
Graphene		Y
Metal film		Y

穩定性

渦流法方阻測試儀

相對標準偏差=0.0150%@中點15次重復性

方阻Mapping55點測試報告

報告時間	2023/10/26 13:51	測試樣本數	55
分析時間	2023/10/26 13:47	**電阻率	0.0232
操作員ID	admin	最小電阻率	0.02277
批次ID	0	平均電阻率	0.02293
樣片ID	A-1-55	標準偏差	0.000111
尺寸規格	100mm	相對標準偏差	0.4861%

渦流法方阻測試儀

動態重復性逐點（38點坐標）一致性數據如下(樣品面的測量5次)

	一	二	三	四	五	重復性	Max
1	0.12459	0.12466	0.12467	0.12471	0.12472	0.0413%	0.0703%
2	0.12347	0.12351	0.12356	0.12358	0.12362	0.0477%
3	0.12315	0.12321	0.12323	0.12326	0.12329	0.0431%
4	0.12389	0.12398	0.124	0.12402	0.12405	0.0489%
5	0.12421	0.12424	0.12428	0.12438	0.12441	0.0703%
6	0.12396	0.12403	0.12406	0.12408	0.12412	0.0484%
7	0.12387	0.12389	0.12398	0.124	0.12403	0.0566%
8	0.12482	0.12486	0.1249	0.12493	0.12496	0.0444%
9	0.12431	0.12434	0.1244	0.12447	0.12451	0.0679%
10	0.12429	0.12435	0.12438	0.12442	0.12445	0.0500%
11	0.12372	0.12378	0.1238	0.12383	0.12386	0.0429%
12	0.12381	0.12389	0.12392	0.12393	0.12396	0.0462%
13	0.1237	0.12374	0.1238	0.12381	0.12385	0.0481%
14	0.12386	0.12394	0.12396	0.12399	0.12403	0.0512%
15	0.12394	0.124	0.12404	0.12407	0.12409	0.0482%
16	0.12496	0.125	0.12504	0.12507	0.12509	0.0421%
17	0.1245	0.12454	0.12452	0.12464	0.12465	0.0562%
18	0.12414	0.12418	0.12422	0.12425	0.12427	0.0424%
19	0.12392	0.12396	0.124	0.12404	0.12406	0.0462%
20	0.12487	0.12491	0.12496	0.12501	0.12501	0.0495%
21	0.12355	0.1236	0.12363	0.12367	0.12372	0.0526%
22	0.12402	0.12409	0.12412	0.12415	0.12417	0.0473%
23	0.12442	0.12444	0.12453	0.12456	0.12458	0.0578%
24	0.12419	0.12423	0.12428	0.12431	0.12434	0.0486%
25	0.12388	0.12395	0.12396	0.12398	0.12403	0.0438%
26	0.12501	0.12505	0.12509	0.12512	0.12516	0.0468%
27	0.1244	0.12444	0.12453	0.12453	0.12458	0.0592%
28	0.12441	0.12445	0.12452	0.12453	0.12457	0.0519%
29	0.12385	0.12389	0.12393	0.12396	0.124	0.0473%
30	0.12379	0.12383	0.12385	0.12387	0.12392	0.0389%
31	0.12367	0.1237	0.12372	0.12374	0.12381	0.0425%
32	0.12393	0.12397	0.12402	0.12403	0.12409	0.0492%
33	0.12394	0.12396	0.124	0.12405	0.12409	0.0502%
34	0.12506	0.12509	0.12514	0.12519	0.12521	0.0510%
35	0.12449	0.12452	0.12459	0.12465	0.12466	0.0610%
36	0.12423	0.12423	0.12431	0.12434	0.12436	0.0491%
37	0.12382	0.12386	0.12386	0.12392	0.12395	0.0421%
38	0.12494	0.12497	0.12502	0.12508	0.12508	0.0507%

不同阻值穩定性測試如下（1000個數據分統計）

	真實值	靜態	動態
穩定性	0.1013	0.05%	0.05%
	0.1596	0.04%	0.04%
	0.2884	0.05%	0.06%
	0.5657	0.07%	0.05%
	0.9746	0.07%	0.08%
	1.5941	0.11%	0.09%
	3.1808	0.16%	0.27%
	16.662	0.48%	0.96%
	56.4	0.03%	0.05%
	180.6	0.10%	0.10%
	264.4	0.10%	0.16%
	573.7	0.28%	0.36%
	750.9	0.34%	0.43%

非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，晶圓、硅片厚度測試儀，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、金屬薄膜、玻璃、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借先進的技術和豐富的產品線，已發展成為中國大陸少數具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商，產品得到眾多國內外主流半導體廠商的認可，并取得良好的市場口碑。

主要應用領域：碳化硅測試、氮化鎵測試、晶圓硅片測試、氧化鎵測試、金屬薄膜測試、玻璃測試、襯底和外延廠商、光伏電池片測試。

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